ISSCC 2022：SK海力士展示896GB/s的HBM3，三星参阅27Gbp...

ISSCC 2022（IEEE 国际固态电路时会议）将于2同年24日举行，不少厂商时会必需在这次大时会上展出不断更新的半导体制造技术。其中SK海力士将介绍其不断更新的HBM3寄存器技术，比特率达到了896 GB/s，Samsung则时会展出频率为27 Gbps的GDDR6。

SK海力士是对于HBM寄存器的研发依然十分更进一步，早在上周6下半年就展出了第一款HBM3寄存器，发放了665 GB/s的比特率。随后在上周10下半年，SK海力士已达成协议失败整合出了HBM3寄存器，成为亚太地区分公司整合新形式十代HBM寄存器的公司。

SK海力士发放了两种发电量，一个是12层碳通孔技术侧向堆叠的24GB，另一个则是8层堆叠的16GB，前者的芯片高度也仅为30微米。这些HBM3寄存器可发放819 GB/s的比特率，比上十代HBM2E的比特率则是460GB/s，比特率提高了78%。此外，HBM3寄存器还外置了片上纠错技术，提高了产品的可靠性。

这次SK海力士造成了的HBM3寄存器仍然是采用12层碳通孔技术，较大发电量也是24GB（196Gb），不过比特率提高到了896 GB/s。暂时还不明了SK海力士的这些HBM3寄存器是处于他设计期中，还是正要大规模试产。

此外，Samsung还将展出频率为27 Gbps的GDDR6，采用了T-coil电路内部结构，以实现更高的传输速度，比目前最高者的24 Gbps产品更快。其发电量为2GB（16Gb），与美光的GDDR6X相异。